Samsung ha gi� calato tre assi per l'anno 2015: Galaxy S6, Galaxy S6 Edge Plus e Galaxy Note 5. Tre smartphone gi� arrivati sul mercato e dotati dello stesso processore proprietario Exynos 7420, una soluzione interna preferita all�attuale Snapdragon 810 e rivelatasi nel tempo vincente e in linea con le aspettative. L'hardware del futuro sembra per� gi� essere delineato con quantitativi di Ram sempre maggiori e processori sempre pi� potenti.

Direttamente dal sito Geekbench arriva un primo, presunto benchmark dell'Exynos 8890, inedito SoC che potrebbe essere l'anima del prossimo Galaxy S7 in alternativa allo Snapdragon 820 di Qualcomm e al progetto Mongoose della stessa compagnia coreana. Il prototipo utilizzato per il test prende il nome di Samsung Lucky, � basato su Android 5.1 Lollipop ed � affiancato da 4 GB di Ram. I punteggi ottenuti sono stati rispettivamente di 1409 in modalit� single-core e 4882 core in modalit� multi-core. Ricordiamo che l�attuale Exynos 7420 si aggira sui 1300 punti in single core e 4380 in multi-core. Dalle altre informazioni rileviamo una struttura formata da 8 ore ARMv8 con clock fissato a 1.3 GHz.



Ci sono invece novit� pi� concrete per le memorie Ram, utilizzate per gestire il multitasking e altre esose richieste dei software odierni. Notizia dell'ultima ora riguarda Samsung, la quale ha ufficializzato i nuovi moduli DRAM LPDDR4 da 12 GB, sviluppati con processo produttivo a 20 nm. Il quadro sul boost di prestazioni vede: 30% in pi� di velocit� (4.226 Mbps) rispetto agli attuali da 4+4 GB, 20% di consumi in meno e produttivit� aumenta del 50%. Sui top di gamma del 2016 non sar� quindi difficile vedere 6 GB di Ram che, insieme ad Android 6.0 Marshmallow, potrebbero regalare al consumatore finale una migliore esperienza utente in termini di rapidit� di esecuzione.

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