In attesa del debutto del SoC Snapdragon 820 sui top di gamma 2016, arrivano nuovi rumors intorno allo sviluppo del modello Snapdragon 830 atteso per l'anno 2017. Grazie alle fonderie Samsung il processo produttivo passer� dagli attuali 14 nm ai futuri 10 nm, permettendo la realizzazione di chip pi� piccoli in termini di dimensioni, una maggiore velocit� di trasmissione e consumi ridotti.

La novit� principale risiederebbe per� nel supporto a memorie Ram a doppio canale, di tipo LPDDR4 da 1866 MHz e fino a 8 GB totali. Nulla di sconvolgente: nel mese di settembre Samsung ha avviato la produzione di chip Ram da 12 GB LPDDR4, il che si traduce con la possibilit� di dotare i prossimi smartphone di ben 6 GB di Ram. Scendendo nel dettaglio, gli analisti sono inoltre sicuri che MSM8998 sar� il codice rappresentativo del SoC Snapdragon 830.

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