Tempi di novit� hardware in casa Samsung, il colosso coreano impegnato in molteplici fronti del settore mobile. La prima di queste riguarda lo sviluppo di nuove S-Ram con processo produttivo a 10nm FinFET. Si tratta di memorie Ram statistiche, con capacit� di 128 MB e una cella con area pari a 0.040 �m2. Rispetto alle attuali con processo produttivo a 14 nm, il risparmio in termini di spazio fisico � del 37.5%. La produzione di massa non entrer� in vigore fino ai primi mesi del 2017, tra i benefici noti si dovrebbe registrare una riduzione di consumi e una maggiore velocit� di trasmissione dati. Non ci sono ancora SoC compatibili con questo tipo di tecnologia.

Ben pi� vicino sar� essere il debutto di Britecell, una nuova tecnologia che troveremo all�interno del reparto fotografico dei prossimi top di gamma e probabilmente del Galaxy S7. In termini pratici questa innovazione porter� una migliore gestione della luce in ambienti poco luminosi: pixel pi� piccoli, meno artefatti e fonti di luce sfocate. Stando a quanto dichiarato da Kyushik Hong, responsabile del team marketing, la riduzione dei pixel diminuir� la grandezza del sensore, che passer� da 6 mm a 5mm, permetter� di creare smartphone pi� sottili e con una sensibilit� della luce di 1.12μm. Non mancher� Samsung Smart WDR, un�altra tecnologia tutta coreana che volger� l�attenzione sui dettagli dell�immagine utilizzando un�esposizione multipla e un autofocus a rilevamento di fase.

Secondo gli ultimi rumors, il Samsung Galaxy S7 dovrebbe fare il suo debutto il prossimo 21 febbraio, a ridosso del Mobile World Congress 2016 di Barcellona.

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